圖8 a 圖8 b （5）液體介質(zhì)中的尖端電暈（圖9 a），波形特征：放電出現(xiàn)在兩個(gè)半周上，對(duì)稱地分布在電壓峰值兩則。每一組放電均為等間隔，但一組幅值較大的放電先出現(xiàn)，隨試驗(yàn)電壓升高而幅度增大，不一定等幅值：一組幅值小的放電幅值相等，并且不隨電壓變化（如圖9 b所示）。原因：絕緣液體中尖端或邊緣放電，如一組大的放電出現(xiàn)在正半周，則尖端處于高壓；如它出現(xiàn)在負(fù)半周，則尖端處于地電位。 圖9 a 圖9 b （6）接觸不良（圖10），波形特征：對(duì)稱分布在試驗(yàn)電壓零點(diǎn)兩側(cè)，幅值大致不變，但在試驗(yàn)電壓峰值附近下降為零，波形粗糙不清晰。低電壓下即出現(xiàn)，電壓增大時(shí)，幅值緩慢增加，有時(shí)在電壓達(dá)到一定值后完全消失。原因：試驗(yàn)電路中金屬與金屬不良接觸的連接點(diǎn)；塑料電纜屏蔽層半導(dǎo)體粒子的不良接觸；電容器鋁箔的插接片等（可將電容器充電然后短路來(lái)消除）。 圖10 （7）局部放電測(cè)試儀可控硅元件（圖11 a），波形特征：位置固定，每只元件產(chǎn)生一個(gè)獨(dú)立訊號(hào)。電路接通，電磁耦合效應(yīng)增強(qiáng)時(shí)，訊號(hào)幅值增加。試驗(yàn)調(diào)壓時(shí)，該脈沖訊號(hào)會(huì)產(chǎn)生高頻波形展寬，從而占位增加（圖11 b），原因：鄰近有可控硅元件在運(yùn)行。 圖11 a 圖11 b （8）局部放電測(cè)試儀繼電器、接觸器、輝光管等動(dòng)作（圖12），波形特征：波形不規(guī)則或間斷出現(xiàn)， 同試驗(yàn)電壓無(wú)關(guān)。原因：熱繼電器、接觸器和各種火花試驗(yàn)器及有火花放電的記錄器動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生。 圖 12
圖8 a 圖8 b （5）液體介質(zhì)中的尖端電暈（圖9 a），波形特征：放電出現(xiàn)在兩個(gè)半周上，對(duì)稱地分布在電壓峰值兩則。每一組放電均為等間隔，但一組幅值較大的放電先出現(xiàn)，隨試驗(yàn)電壓升高而幅度增大，不一定等幅值：一組幅值小的放電幅值相等，并且不隨電壓變化（如圖9 b所示）。原因：絕緣液體中尖端或邊緣放電，如一組大的放電出現(xiàn)在正半周，則尖端處于高壓；如它出現(xiàn)在負(fù)半周，則尖端處于地電位。 圖9 a 圖9 b （6）接觸不良（圖10），波形特征：對(duì)稱分布在試驗(yàn)電壓零點(diǎn)兩側(cè)，幅值大致不變，但在試驗(yàn)電壓峰值附近下降為零，波形粗糙不清晰。低電壓下即出現(xiàn)，電壓增大時(shí)，幅值緩慢增加，有時(shí)在電壓達(dá)到一定值后完全消失。原因：試驗(yàn)電路中金屬與金屬不良接觸的連接點(diǎn)；塑料電纜屏蔽層半導(dǎo)體粒子的不良接觸；電容器鋁箔的插接片等（可將電容器充電然后短路來(lái)消除）。 圖10 （7）局部放電測(cè)試儀可控硅元件（圖11 a），波形特征：位置固定，每只元件產(chǎn)生一個(gè)獨(dú)立訊號(hào)。電路接通，電磁耦合效應(yīng)增強(qiáng)時(shí)，訊號(hào)幅值增加。試驗(yàn)調(diào)壓時(shí)，該脈沖訊號(hào)會(huì)產(chǎn)生高頻波形展寬，從而占位增加（圖11 b），原因：鄰近有可控硅元件在運(yùn)行。 圖11 a 圖11 b （8）局部放電測(cè)試儀繼電器、接觸器、輝光管等動(dòng)作（圖12），波形特征：波形不規(guī)則或間斷出現(xiàn)， 同試驗(yàn)電壓無(wú)關(guān)。原因：熱繼電器、接觸器和各種火花試驗(yàn)器及有火花放電的記錄器動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生。 圖 12
局部放電測(cè)試儀使用方法手冊(cè)說(shuō)明書：
